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目前国内有几十条芯片大型生产线可以130、120、110nm生产线，由于国外的光刻机禁运或价格太高，没有机会升级。国产芯片为了降低成本可以在光刻机领域给芯片企业推一把力，开发国产光刻光源，使130、120、110nm生产线能够作出90、60nm的能力。深度开发还能生产40nm\20nm的芯片。在芯片领域要有后来居上的竞争能力，就要光刻工艺赶超别人才能大大降低芯片成本。目前中国没有独立知识产权的极紫外线光源用于光刻机。国外不是禁运，就是高价。
摘要
本发明提供一种极紫外光20nm～40nm光谱发生器。本发明紫外光20nm～40nm光谱发生器包括产生摄氏温度1.4万度至2.4万度高温的等离子体喷嘴2，等离子体导电极导气孔3，高纯石英玻璃壳12，聚光反射腔9等共25种零件构成(参见说明书摘要附图1)。本发明光谱发生器在工作时等离子体的温度在1.4万℃～2.4万℃之间，释放出较多能量的极紫外光20nm～40nm的光谱，可用于超大规模集成电路用于线宽≤20nm的光刻工艺，并能用于纳米级显微镜的光
法律状态
申请(专利)号： CN200410021728.9 授权公告号： ||||||
法律状态公告日： 2009.07.15|||2007.04.18|||2004.12.29 法律状态类型： 发明专利申请公布后的视为撤回|||实质审查的生效|||公开
希望你们资助合作研发出产品，可以降低芯片产品制造成本提高公司竞争力，可以升级原有老设备的使用周期。面谈。以前没有想到与你们推荐。
极紫外光20NM～40NM光谱发生器.pdf
摘要
申请专利号： CN200410021728.9 申请日： 2004.02.02
公开号： CN1558264A 公开日： 2004.12.29
当前法律状态： 撤回 有效性： 无权
法律详情： 发明专利申请公布后的视为撤回|||实质审查的生效|||公开
IPC分类号： G02B27/00; G03F7/20; G02B21/00 主分类号： G02B27/00; G03F7/20; G02B21/00
申请人： 成都高新区食用生物制品研究所;
发明人： 何安成; 王明清
地址： 610041四川省成都市高新区创业路2号
优先权：