本公司是一家從事光電子材料及器件的研發銷售公司，本專利是按照特定品質分數摻雜體系 Ag+ZnO 液固合成的≤10nm量子材料（溶液墨水），採用種子生長法可在低溫狀態下與 PEN 基底參與反應直接培植結晶而成的低電阻高透光率可以導電的ZnO Ag 基系列薄膜。
公司現擁有3名歐美日海歸學者光電技術博士專家和2名企業管理學博士、碩士，不僅為企業帶來發達國家技術技術經歷，同時也帶來海外眾多產品銷售管道和推廣技術面向市場的國際化視野，正是由於他們的學術貢獻使產品賤金屬鋅替代了貴金屬銀的摻雜體系大幅降低了成本，減少對貴金屬和稀缺材料銦的依賴，僅為國際頂級技術企業製造成本的1/3且性能同樣先進，除在大尺寸柔性化觸控屏顯示器領域獨樹一幟外，還在傳導、發熱、電極、場發射、光磁遮罩吸波、拉曼光譜等領域同樣具有優異表現。目前中試產品，產品可實際應用在高透光率導電薄膜、柔性太陽能用電極、半導體晶片、氣敏感測器、PV電池熱反射器、電子紙、化學電池電陰極，調色膜玻璃、大尺寸柔性顯示器、RFID電子標籤、大容量電容器、軌道衛星溫度控制靜電和50μm以下3D列印材料、軍事裝備隱身塗裝材料、醫用納米機器人感測器材料。
本核心製備專利國內外鮮有文獻媒體報導，它的前驅溶液可穩定維持在 1-10nm零維維度，優於國內 25nm 的最好水準，解決了其他同行粗晶粒產品的分佈稀疏、有孔洞、功函數超載流子濃度低的缺陷，能夠促使薄膜相結構和液固成分穩定，阻值無驟升現象，性能指標方面處於國際最高水準；不僅技術門檻高，而且全球只有美國CABOT、美國NanoMas、日本ULVCA、韓國LG等少數寡頭企業掌握合成20納米以內且分散性良好的核心技術關鍵訣竅。因此在國內我們沒有競爭對手，本產品的出現，打破發達國家納米技術壟斷僵局，緩解了我國高成本進口發達國家納米高端技術材料的緊張局面。